Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером

Учебно-методическое пособие — Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2012. — 84 с.В пособии рассмотрены свойства полупроводниковых биполярных транзисторов. Показаны основные схемы включения транзисторов, описаны основные характеристики. Также рассмотрены приборы на основе биполярных транзисторов – усилители низкой частоты. Описаны физические принципы работы усилителей, детально рассмотрена схема усилителя с общим эмиттером. Даны рекомендации по выбору рабочей точки и расчёту параметров схемы усилителя с общим эмиттером. Даны методические рекомендации по выполнению экспериментальных заданий пособия с использованием платы NI ELVIS II.
Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Теоретические основы электротехники».ВведениеТеоретические основы работы биполярного транзистора
Полупроводниковый p-n переходБиполярный транзистор
Общие сведения
Статические характеристики биполярного транзистора
Моделирование статические характеристики биполярного транзистора
Транзистор как линейный четырёхполюсникЭкспериментальная часть
Исследование статических характеристик транзистора, включённого по схеме с общим
эмиттером
Исследование выходных характеристик транзистора
Определение параметров транзистораКонтрольные вопросыРасчёт и исследование усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, включённом по схеме с общим эмиттером
Схемы усилителя
Схема с общей базой
Схемы с общим эмиттером и общим коллекторомСхема усилителя низкой частоты с общим эмиттеромЧастотные характеристики транзистораЭкспериментальная часть
Расчёт усилителя с общим эмиттером
Моделирование схемы усилителя низкой частоты
Монтаж схемы усилителя
Применение генератора импульсов и осциллографа
Исследование частотной зависимости коэффициента усиленияКонтрольные вопросыСписок цитированной литературы